IXFK88N30P全新现货

IXFK88N30P全新现货IXYS代理IXFK88N30P功率MOSFET

来源： | 时间：2011年06月13日

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IXFK88N30P全新现货IXYS代理IXFK88N30P功率MOSFET 封装TO - 264 
部分编号：IXFK88N30P 
描述：较地?HiPerFETs（150V的至300V）与减少的Rds（上） 
配置：单 
包装样式号：TO - 264 


DS99216F（11/09） 
VDSS = 300V的 
ID25 = 88A条 
的RDS（on）≤40mΩ 
社群推荐信任≤200ns 
特点 
??国际标准封装 
??快速内在二极管 
??额定雪崩 
??（ON）和低RDS资历组别 
??封装电感低 
优势 
??高功率密度 
??易于安装 
??节省空间 
应用 
?? 
的DC - DC Coverters 
?? 
电池充电器 
??开关模式和谐振模式 
电源供应器 
??直流切碎机 
??交流和直流电动机驱动器 
?? 
不间断电源 
?? 
高速电源开关 
应用

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