IXFN102N30P全新现货

IXFN102N30P全新现货IXYS代理IXFN102N30P功率MOSFET

来源： | 时间：2011年06月15日

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IXFN102N30P全新现货IXYS代理IXFN102N30P功率MOSFET 封装SOT - 227 
部分编号：IXFN102N30P 
描述：较地?HiPerFETs（150V的至300V）与减少的Rds（上） 
配置：单 
封装形式：采用SOT - 227



特点 
??国际标准封装 
??封装环氧树脂符合 
符合UL94 V - 0级，易燃性分类 
??miniBLOC氮化铝 
隔离 
??快速恢复二极管 
??非钳位感应开关（UIS）的 
额定 
??低封装电感 
- 易于驱动器和保护 
优势 
??易于安装 
??节省空间 
??高功率密度

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