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深圳市亨力拓电子有限公司
主营：IGBT模块,电解电容,三菱IGBT,电阻电容,各类被动件,集成电路 - 13420905266
深圳市亨力拓电子有限公司
主营：IGBT模块,电解电容,三菱IGBT,电阻电容,各类被动件,集成电路
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型号： APTGF180DH60G
厂家： Microsemi
批号： 15+
数量： 500
封装： SP6
包装： 600V 180A Tc=80℃ 饱合压降2.1
备注： 全桥和不对称桥
供应全系列模块 欢迎咨询 王先生手机： Q
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与APTGF180DH60G的相关库存
型号 厂家 批号 数量 封装 包装 备注 PDF WORD
APTGT300DU170G Microsemi 15+ 1800 SP6 1700V 300A Tc=80℃ 饱合压降2.0 双共源较
APTGT225DU170G Microsemi 15+ 800 SP6 1700V 225A Tc=80℃ 饱合压降2.0 双共源较
APTGT150DU170G Microsemi 15+ 230 SP6 1700V 150A Tc=80℃ 饱合压降2.0 双共源较
APTGT100DU170TG Microsemi 15+ 1600 SP4 1700V 100A Tc=80℃ 饱合压降2.0 双共源较
APTGT50DU170TG Microsemi 15+ 8000 SP4 1700V 50A Tc=80℃ 饱合压降2.0 双共源较
APTGT200DU120G Microsemi 15+ 1500 SP6 1200V 200A Tc=80℃ 饱合压降1.7 双共源较
APTGT150DU120TG Microsemi 15+ 800 SP4 1200V 150A Tc=80℃ 饱合压降1.7 双共源较
APTGT150DU120G Microsemi 15+ 500 SP6 1200V 150A Tc=80℃ 饱合压降1.7 双共源较
APTGT100DU120TG Microsemi 15+ 200 SP4 1200V 100A Tc=80℃ 饱合压降1.7 双共源较
APTGT75DU120TG Microsemi 15+ 830 SP4 1200V 75A Tc=80℃ 饱合压降1.7 双共源较
APTGT50DU120TG Microsemi 15+ 2790 SP4 1200V 50A Tc=80℃ 饱合压降1.7 双共源较
APTGF300DU120G Microsemi 15+ 1900 SP6 1200V 300A Tc=80℃ 饱合压降3.2 双共源较
APTGF150DU120TG Microsemi 15+ 1680 SP4 1200V 150A Tc=80℃ 饱合压降3.2 双共源较
APTGT400DU120G Microsemi 15+ 1650 SP6 1200V 400A Tc=80℃ 饱合压降1.7 双共源较
APTGT300DU120G Microsemi 15+ 1800 SP6 1200V 300A Tc=80℃ 饱合压降1.7 双共源较
APTGF100DU120TG Microsemi 15+ 800 SP4 1200V 100A Tc=80℃ 饱合压降3.2 双共源较
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